蒸發結晶器是在過飽和溶液中生成新相的過程，涉及固液相平衡。對特定的目標產物及物系，需通過實驗制定結晶操作條件，讓結晶產品質量達到要求，增加結晶生產能力，減少過程成本。
       結晶操作中的問題
       1、過飽和度過大會出現問題
       1） 成核速率過快，產生大量微小晶體，結晶不能長大；
       2） 結晶生長速率過快，影響結晶質量；
       3） 結晶器壁容易產生晶垢。
       存在過飽和度，可以在較高成核和生長速率的同時，不影響結晶的質量。在不易產生晶垢的過飽和度下進行。
       2、攪拌與混合
       增加攪拌速度可增加成核和生長速率，攪拌速度過快會造成晶體的剪切破碎，影響結晶產品質量。為獲得較好的混合狀態，不會有結晶的破碎，可采用氣提式混合方式，或利用直徑或葉片較大的攪拌槳，減少槳的轉速。
       3、溶劑與pH值
       結晶操作采用的溶劑和pH值應使目標溶質的溶解度較低，以增加結晶的收率。溶劑和pH值對晶形有影響。如普魯卡因青霉素在水溶液中的結晶為方形晶體，在醋酸丁酯中的結晶為長棒狀。在設計結晶操作前需實驗，使結晶晶形較好的溶劑和pH值。
       4、晶種
       向處于介穩區的過飽和溶液中添加顆粒均勻的晶種。對于溶液粘度較高的物系，晶核難產生，而在高過飽度下，一旦產生晶核，就會同時出現大量晶核，容易發生聚晶現象，產品質量不易控制。
       高粘度物系要用在介穩區內添加晶種的操作方法。
       5、晶漿濃度
       晶漿濃度越高，單位體積結晶器中結晶表面積越大，結晶生長速率越快，增加結晶生產速度（產量）。但晶漿濃度過高時，懸浮液的流動性差，混合操作困難。
       晶漿濃度應在操作條件允許的范圍內取大值。在間歇操作中，晶種的添加量應根據結晶產品的大小。
       6、循環流速
       用外部循環式結晶器時，循環流速的設定要合理。
       增加循環流速
       1）能清理設備內的過飽和度分布，使設備內的結晶成核速率及生長速率分布均勻；
       2）可增加固液表面傳質系數，增加結晶生長速率；
       3）增加換熱效率，不讓換熱器表面晶垢的生成；
       循環流速過高會造成結晶的磨損破碎。循環流速應在無結晶磨損破碎的范圍內取較大的值。如果結晶器具備結晶分級功能，循環流速也不宜過高，讓分級功能的正常發揮。
       7、結晶系統的晶垢
       結晶器壁及循環系統中產生晶垢，影響結晶過程效率。
       沒有晶垢或除去晶垢方法：
       1）壁內表面采用涂料，保持壁面光滑，不要在器壁上的二維成核現象的發生；
       2）增加結晶系統中流體流速，使流速分布均勻，清理低流速區；
       3）若外循環液體為過飽和溶液，使其中沒有晶種；
       4）采用夾套保溫方式不會在壁面附近過飽和度過高；
       5）增設晶垢清理裝置，定期添加溶劑溶解產生的晶垢；
       6）蒸發室壁面容易產生晶垢，可采用噴淋溶劑的方式溶解晶垢。
       溫度的不同，生成的晶形和結晶水會發生改變，溫度一般控制在較小的溫度范圍內。結晶時，若降溫速度過快，溶液快達到較高的過飽和度，生成大量微小晶體，影響結晶產品的質量。溫度控制在飽和溫度與過飽和溫度之間。
       蒸發結晶時，蒸發速度過快，則溶液的過飽度較大，生成微小晶體，附著在結晶表面，影響結晶產品的質量。蒸發速度應與結晶生長速率相適應，保持溶液的過飽和度。
       結晶的對象是多組分物系，要選擇性結晶目標產物。
       如果共存雜質的濃度較低，一般對目標產物的結晶沒有大影響。但如果在結晶操作中雜質含量不斷升高（如采用蒸發式結晶操作時），雜質的積累會嚴重影響目標產物結晶的純度。
       結晶操作中需要控制雜質的含量，往往在結晶系統中增設除雜設備。離子交換柱或廢液排放。